NT5CC256M16CN-FLI vs K4B4G1646E-BYMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16CN-FLI द्वारा Nanya Technology और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16CN-FLI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $14.32 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb (256M x 16) | 4 Gb |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V (DDR3L) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps/pin |
| I/O Width | 16 bits | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| CAS लेटेंसी | Programmable (11, 12, 13) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| पैकेज | TFBGA-96 | FBGA-96 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C (case) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Write Leveling | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| पिन की संख्या | — | 96 |