NT5CC256M16CN-FLI vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT5CC256M16CN-FLI tarafından Nanya Technology ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLI NT5CC256M16CN-FLI - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLI - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLI ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre NT5CC256M16CN-FLI K4B4G1646E-BYMA
Marka Nanya Technology Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $14,32
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb (256M x 16) 4 Gb
Besleme Gerilimi 1.35V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Veri Hızı 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
I/O Width 16 bits —
Internal Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
CAS Gecikme Programmable (11, 12, 13) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Paket TFBGA-96 FBGA-96
İşletim Sıcaklığı Aralığı 0°C to +95°C (case) —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Supported —
Auto Precharge Supported —
On-Die Termination (ODT) Supported —
Write Leveling Supported —
ZQ Calibration Supported —
Organizasyon — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
İşletim Sıcaklığı — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Montaj Türü — Surface Mount
RoHS — Compliant
Pin Sayısı — 96

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin