NT5CC256M16CN-FLI vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5CC256M16CN-FLI بذریعہ Nanya Technology اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLI NT5CC256M16CN-FLI - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLI - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLI ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر NT5CC256M16CN-FLI K4B4G1646E-BYMA
برانڈ Nanya Technology Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $14.32
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb (256M x 16) 4 Gb
سپلائی وولٹیج 1.35V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
ڈیٹا ریٹ 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
I/O Width 16 bits —
Internal Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
CAS لیٹنسی Programmable (11, 12, 13) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
پیکیج TFBGA-96 FBGA-96
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج 0°C to +95°C (case) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Supported —
Auto Precharge Supported —
On-Die Termination (ODT) Supported —
Write Leveling Supported —
ZQ Calibration Supported —
تنظیم — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
RoHS — Compliant
پنز کی تعداد — 96

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں