NT5CC256M16CN-FLI vs K4B4G1646E-BYMA Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci NT5CC256M16CN-FLI disebabkan oleh Nanya Technology dan K4B4G1646E-BYMA disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLI NT5CC256M16CN-FLI - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLI - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLI ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr NT5CC256M16CN-FLI K4B4G1646E-BYMA
Merek Nanya Technology Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $14.32
Jenis Ingatan DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb (256M x 16) 4 Gb
Tegangan Pemberi Arus 1.35V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Kadar Data 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
I/O Width 16 bits —
Internal Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
Latensi CAS Programmable (11, 12, 13) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Kemasan TFBGA-96 FBGA-96
Gambaran Suhu Operasi 0°C to +95°C (case) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Supported —
Auto Precharge Supported —
On-Die Termination (ODT) Supported —
Write Leveling Supported —
ZQ Calibration Supported —
Organisasi — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
Suhu Operasi — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Jenis Pemasangan — Surface Mount
RoHS — Compliant
Bilangan Pin — 96

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga