STP20N60M2 vs IPP60R190P6XKSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना STP20N60M2 द्वारा STMicroelectronics और IPP60R190P6XKSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
STMicroelectronics
STP20N60M2 - 600V 20A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STP20N60M2 Obsolete
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | STP20N60M2 | IPP60R190P6XKSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | STMicroelectronics | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | सक्रिय |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | 12 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 80 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.19 ohm typical, 0.23 ohm max | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±25 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V to 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 45 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1900 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 120 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 5 pF | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 400 mJ | — |
| Thermal Resistance (Junction-to-Case) | 1.67 °C/W | — |
| थर्मल रेज़िस्टेंस, जंक्शन-टू-एम्बिएंट | 62.5 °C/W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C | -55C to +150C (junction) |
| पैकेज | TO-220 | PG-TO220-3 (through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P6 |
| Technology | — | Superjunction (SJ) MOSFET |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20.2 A |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | — | 190 mOhm |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | — | 151 W |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL स्तर | — | Not applicable (through-hole) |
| Product Variant | — | XKSA1 (industrial grade, tube pack) |