STP20N60M2 vs IPP60R190P6XKSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از STP20N60M2 بذریعہ STMicroelectronics اور IPP60R190P6XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
STMicroelectronics
STP20N60M2 - 600V 20A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STP20N60M2 Obsolete
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | STP20N60M2 | IPP60R190P6XKSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | STMicroelectronics | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | Obsolete | فعال |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | 12 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 80 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.19 ohm typical, 0.23 ohm max | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±25 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V to 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 45 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1900 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 120 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 5 pF | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 400 mJ | — |
| Thermal Resistance (Junction-to-Case) | 1.67 °C/W | — |
| تھرمل ریزسٹنس، جنکشن سے ایمبیئنٹ | 62.5 °C/W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C | -55C to +150C (junction) |
| پیکیج | TO-220 | PG-TO220-3 (through-hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P6 |
| Technology | — | Superjunction (SJ) MOSFET |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20.2 A |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | — | 190 mOhm |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | — | 151 W |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL لیول | — | Not applicable (through-hole) |
| Product Variant | — | XKSA1 (industrial grade, tube pack) |