STP20N60M2 vs IPP60R190P6XKSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của STP20N60M2 bằng STMicroelectronics và IPP60R190P6XKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 - 600V CoolMOS P6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP60R190P6XKSA1 - 600V CoolMOS P6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP60R190P6XKSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số STP20N60M2 IPP60R190P6XKSA1
Thương hiệu STMicroelectronics Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Obsolete Hoạt động
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 80 A —
On-Resistance (RDS(on)) 0.19 ohm typical, 0.23 ohm max —
Gate-Source Voltage (VGS) ±25 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V to 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 45 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1900 pF —
Output Capacitance (Coss) 120 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 5 pF —
Avalanche Energy (EAS) 400 mJ —
Thermal Resistance (Junction-to-Case) 1.67 °C/W —
Kháng nhiệt, mối nối đến môi trường 62.5 °C/W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C -55C to +150C (junction)
Hộp TO-220 PG-TO220-3 (through-hole)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P6
Technology — Superjunction (SJ) MOSFET
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20.2 A
On-Resistance RDS(on) max at 25C — 190 mOhm
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 151 W
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Lead-Free — Yes
Cấp MSL — Not applicable (through-hole)
Product Variant — XKSA1 (industrial grade, tube pack)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá