W634GU6RB-11TR vs K4B4G1646D-BYH9 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना W634GU6RB-11TR द्वारा Winbond और K4B4G1646D-BYH9 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | W634GU6RB-11TR | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Winbond | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | — |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| डेटा दर | 1866 MT/s | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| पैकेज | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C | 0 ~ 85 °C |
| CAS लेटेंसी | 13 | Programmable |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |