W634GU6RB-11TR vs K4B4G1646D-BYH9 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma W634GU6RB-11TR tarafından Winbond ve K4B4G1646D-BYH9 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | W634GU6RB-11TR | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marka | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | — |
| Bellek Boyutu | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Veri Hızı | 1866 MT/s | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V |
| Arayüz | Parallel | — |
| Paket | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | -40°C to +95°C | 0 ~ 85 °C |
| CAS Gecikme | 13 | Programmable |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |