W634GU6RB-11TR vs K4B4G1646D-BYH9 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار W634GU6RB-11TR توسط Winbond و K4B4G1646D-BYH9 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | W634GU6RB-11TR | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| برند | Winbond | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | — |
| اندازه حافظه | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| نرخ داده | 1866 MT/s | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V |
| رابط | Parallel | — |
| بسته‌بندی | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| دمای کاری | -40°C to +95°C | 0 ~ 85 °C |
| تأخیر CAS | 13 | Programmable |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |