W634GU6RB-11TR vs K4B4G1646D-BYH9 So sánh
So sánh chi tiết song song của W634GU6RB-11TR bằng Winbond và K4B4G1646D-BYH9 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | W634GU6RB-11TR | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Winbond | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | — |
| Kích thước bộ nhớ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1866 MT/s | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| Điện áp cung cấp | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V |
| Giao diện | Parallel | — |
| Hộp | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C to +95°C | 0 ~ 85 °C |
| Latency CAS | 13 | Programmable |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |