W634GU6RB-11TR vs K4B4G1646D-BYH9 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng W634GU6RB-11TR sa pamamagitan ng Winbond at K4B4G1646D-BYH9 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | W634GU6RB-11TR | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Brand | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | — |
| Laki ng Memory | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Rate ng Data | 1866 MT/s | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V |
| Interface | Parallel | — |
| Packhaging | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | 0 ~ 85 °C |
| Latensya ng CAS | 13 | Programmable |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |