W634GU6RB-11TR vs K4B4G1646D-BYH9 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ W634GU6RB-11TR بواسطة Winbond و K4B4G1646D-BYH9 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | W634GU6RB-11TR | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Winbond | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | — |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| معدل البيانات | 1866 MT/s | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| جهد التغذية | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V |
| الواجهة | Parallel | — |
| العلبة | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | 0 ~ 85 °C |
| زمن الوصول CAS | 13 | Programmable |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |