W634GU6RB-11TR vs K4B4G1646D-BYH9 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از W634GU6RB-11TR بذریعہ Winbond اور K4B4G1646D-BYH9 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | W634GU6RB-11TR | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| برانڈ | Winbond | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | — |
| میموری سائز | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 MT/s | 1333 Mbps |
| Access Time | 20 ns | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| پیکیج | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C | 0 ~ 85 °C |
| CAS لیٹنسی | 13 | Programmable |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |