W634GU6RB09J vs NT5CC256M16DP-DI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना W634GU6RB09J द्वारा Winbond और NT5CC256M16DP-DI द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | W634GU6RB09J | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| ब्रांड | Winbond | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | — |
| डेटा दर | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.35V |
| CAS लेटेंसी | 20 ns | 11, 12, 13 (programmable) |
| पैकेज | 96-VFBGA (7.5x13mm) | VFBGA-96 |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4Gb |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |