W634GU6RB09J vs NT5CC256M16DP-DI השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של W634GU6RB09J מאת Winbond ו NT5CC256M16DP-DI מאת Nanya Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | W634GU6RB09J | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| מותג | Winbond | Nanya Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4Gbit (256M x 16) | — |
| קצב נתונים | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| מתח אספקה | 1.35V | 1.35V |
| השהיית CAS | 20 ns | 11, 12, 13 (programmable) |
| מארז | 96-VFBGA (7.5x13mm) | VFBGA-96 |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| ממשק | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| מספר פינים | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4Gb |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |