W634GU6RB09J vs NT5CC256M16DP-DI مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار W634GU6RB09J توسط Winbond و NT5CC256M16DP-DI توسط Nanya Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | W634GU6RB09J | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| برند | Winbond | Nanya Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4Gbit (256M x 16) | — |
| نرخ داده | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V | 1.35V |
| تأخیر CAS | 20 ns | 11, 12, 13 (programmable) |
| بسته‌بندی | 96-VFBGA (7.5x13mm) | VFBGA-96 |
| دمای کاری | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| رابط | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4Gb |
| محدوده دمای کاری | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |