W634GU6RB09J vs NT5CC256M16DP-DI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ W634GU6RB09J بواسطة Winbond و NT5CC256M16DP-DI بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | W634GU6RB09J | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Winbond | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| معدل البيانات | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.35V |
| زمن الوصول CAS | 20 ns | 11, 12, 13 (programmable) |
| العلبة | 96-VFBGA (7.5x13mm) | VFBGA-96 |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| الواجهة | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4Gb |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |