W634GU6RB09J vs NT5CC256M16DP-DI 比較
詳細並排比較 W634GU6RB09J 由 Winbond 與 NT5CC256M16DP-DI 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | W634GU6RB09J | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| 品牌 | Winbond | Nanya Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| 資料速率 | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| 供應電壓 | 1.35V | 1.35V |
| CAS 延遲 | 20 ns | 11, 12, 13 (programmable) |
| 封裝 | 96-VFBGA (7.5x13mm) | VFBGA-96 |
| 工作溫度 | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| 介面 | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| RoHS 狀態 | Compliant | — |
| 無鹵素 | Yes | — |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| 腳位數 | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4Gb |
| 工作溫度範圍 | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |