W989D6DBGX6I-TR vs W989D6DBGX6I तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना W989D6DBGX6I-TR द्वारा Winbond और W989D6DBGX6I द्वारा Winbond. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | W989D6DBGX6I-TR | W989D6DBGX6I |
|---|---|---|
| ब्रांड | Winbond | Winbond |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | Mobile LPSDR SDR SDRAM (Volatile DRAM) | Mobile LPSDR SDRAM |
| Density | 512 Mbit | — |
| संगठन | 32M x 16 (16-bit data bus) | 32M words x 16 bit |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | 166 MHz | 166 MHz |
| Clock Access Time | 5 ns | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.8 V (typical); 1.7 V to 1.95 V range | — |
| Number of Internal Banks | 4 | — |
| CAS Latency (CL) | 2 / 3 selectable via MRS | — |
| Burst Length | 1, 2, 4, 8, full page | 1, 2, 4, 8, Full Page |
| Refresh Window | 1024 cycles / 16 ms | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +85C (Industrial) | -40C to +85C (Industrial) |
| पैकेज | 54-ball VFBGA, 8 mm x 9 mm | 54-ball VFBGA (8 mm x 9 mm) |
| Process Technology | 46 nm | 46 nm CMOS |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging Option | Tape & Reel (-TR suffix) | — |
| Low-Power Modes | Partial-Array Self-Refresh (PASR), Deep Power-Down (DPD) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | 3 |
| Lead-Free | Yes | — |
| Memory Density | — | 512 Mbit (32M x 16) |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 16 bit |
| Access Time | — | 5 ns |
| Supply Voltage VDD | — | 1.8 V (typ) |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Parallel, LVCMOS |
| Number of Banks | — | 4 |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable 2 or 3 |
| Self-Refresh | — | Yes (with PASR) |
| Deep Power-Down | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |