W989D6DBGX6I-TR vs W989D6DBGX6I موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از W989D6DBGX6I-TR بذریعہ Winbond اور W989D6DBGX6I بذریعہ Winbond. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر W989D6DBGX6I-TR W989D6DBGX6I
برانڈ Winbond Winbond
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ Mobile LPSDR SDR SDRAM (Volatile DRAM) Mobile LPSDR SDRAM
Density 512 Mbit —
تنظیم 32M x 16 (16-bit data bus) 32M words x 16 bit
زیادہ سے زیادہ کلاک فریکوئنسی 166 MHz 166 MHz
Clock Access Time 5 ns —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.8 V (typical); 1.7 V to 1.95 V range —
Number of Internal Banks 4 —
CAS Latency (CL) 2 / 3 selectable via MRS —
Burst Length 1, 2, 4, 8, full page 1, 2, 4, 8, Full Page
Refresh Window 1024 cycles / 16 ms —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +85C (Industrial) -40C to +85C (Industrial)
پیکیج 54-ball VFBGA, 8 mm x 9 mm 54-ball VFBGA (8 mm x 9 mm)
Process Technology 46 nm 46 nm CMOS
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Option Tape & Reel (-TR suffix) —
Low-Power Modes Partial-Array Self-Refresh (PASR), Deep Power-Down (DPD) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 3 (168 hours) 3
Lead-Free Yes —
Memory Density — 512 Mbit (32M x 16)
ڈیٹا بس چوڑائی — 16 bit
Access Time — 5 ns
Supply Voltage VDD — 1.8 V (typ)
انٹرفیس ٹائپ — Parallel, LVCMOS
Number of Banks — 4
CAS لیٹنسی — Programmable 2 or 3
Self-Refresh — Yes (with PASR)
Deep Power-Down — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں