W989D6DBGX6I-TR vs W989D6DBGX6I Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci W989D6DBGX6I-TR disebabkan oleh Winbond dan W989D6DBGX6I disebabkan oleh Winbond. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr W989D6DBGX6I-TR W989D6DBGX6I
Merek Winbond Winbond
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan Mobile LPSDR SDR SDRAM (Volatile DRAM) Mobile LPSDR SDRAM
Density 512 Mbit —
Organisasi 32M x 16 (16-bit data bus) 32M words x 16 bit
Frekuensi Klock Maksimum 166 MHz 166 MHz
Clock Access Time 5 ns —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.8 V (typical); 1.7 V to 1.95 V range —
Number of Internal Banks 4 —
CAS Latency (CL) 2 / 3 selectable via MRS —
Burst Length 1, 2, 4, 8, full page 1, 2, 4, 8, Full Page
Refresh Window 1024 cycles / 16 ms —
Suhu Operasi -40C to +85C (Industrial) -40C to +85C (Industrial)
Kemasan 54-ball VFBGA, 8 mm x 9 mm 54-ball VFBGA (8 mm x 9 mm)
Process Technology 46 nm 46 nm CMOS
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Packaging Option Tape & Reel (-TR suffix) —
Low-Power Modes Partial-Array Self-Refresh (PASR), Deep Power-Down (DPD) —
Status RoHS Compliant Compliant
Aras MSL 3 (168 hours) 3
Lead-Free Yes —
Memory Density — 512 Mbit (32M x 16)
Lebar Bus Data — 16 bit
Access Time — 5 ns
Supply Voltage VDD — 1.8 V (typ)
Jenis Antaramuka — Parallel, LVCMOS
Number of Banks — 4
Latensi CAS — Programmable 2 or 3
Self-Refresh — Yes (with PASR)
Deep Power-Down — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga