W989D6DBGX6I-TR vs W989D6DBGX6I Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil W989D6DBGX6I-TR dari Winbond dan W989D6DBGX6I dari Winbond. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum W989D6DBGX6I-TR W989D6DBGX6I
Merek Winbond Winbond
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Tipe Memori Mobile LPSDR SDR SDRAM (Volatile DRAM) Mobile LPSDR SDRAM
Density 512 Mbit —
Organisasi 32M x 16 (16-bit data bus) 32M words x 16 bit
Frekuensi Bawah Maximum 166 MHz 166 MHz
Clock Access Time 5 ns —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.8 V (typical); 1.7 V to 1.95 V range —
Number of Internal Banks 4 —
CAS Latency (CL) 2 / 3 selectable via MRS —
Burst Length 1, 2, 4, 8, full page 1, 2, 4, 8, Full Page
Refresh Window 1024 cycles / 16 ms —
Suhu Kerja -40C to +85C (Industrial) -40C to +85C (Industrial)
Paket 54-ball VFBGA, 8 mm x 9 mm 54-ball VFBGA (8 mm x 9 mm)
Process Technology 46 nm 46 nm CMOS
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Packaging Option Tape & Reel (-TR suffix) —
Low-Power Modes Partial-Array Self-Refresh (PASR), Deep Power-Down (DPD) —
Status RoHS Compliant Compliant
Level MSL 3 (168 hours) 3
Lead-Free Yes —
Memory Density — 512 Mbit (32M x 16)
Lebar Bus Data — 16 bit
Access Time — 5 ns
Supply Voltage VDD — 1.8 V (typ)
Tipe Antarmuka — Parallel, LVCMOS
Number of Banks — 4
Latensi CAS — Programmable 2 or 3
Self-Refresh — Yes (with PASR)
Deep Power-Down — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon