W989D6DBGX6I-TR vs W989D6DBGX6I השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של W989D6DBGX6I-TR מאת Winbond ו W989D6DBGX6I מאת Winbond. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר W989D6DBGX6I-TR W989D6DBGX6I
מותג Winbond Winbond
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון Mobile LPSDR SDR SDRAM (Volatile DRAM) Mobile LPSDR SDRAM
Density 512 Mbit —
ארגון 32M x 16 (16-bit data bus) 32M words x 16 bit
תדר שעון מקסימלי 166 MHz 166 MHz
Clock Access Time 5 ns —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.8 V (typical); 1.7 V to 1.95 V range —
Number of Internal Banks 4 —
CAS Latency (CL) 2 / 3 selectable via MRS —
Burst Length 1, 2, 4, 8, full page 1, 2, 4, 8, Full Page
Refresh Window 1024 cycles / 16 ms —
טמפרטורת פעולה -40C to +85C (Industrial) -40C to +85C (Industrial)
מארז 54-ball VFBGA, 8 mm x 9 mm 54-ball VFBGA (8 mm x 9 mm)
Process Technology 46 nm 46 nm CMOS
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Option Tape & Reel (-TR suffix) —
Low-Power Modes Partial-Array Self-Refresh (PASR), Deep Power-Down (DPD) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 3 (168 hours) 3
Lead-Free Yes —
Memory Density — 512 Mbit (32M x 16)
רוחב אפיק נתונים — 16 bit
Access Time — 5 ns
Supply Voltage VDD — 1.8 V (typ)
סוג ממשק — Parallel, LVCMOS
Number of Banks — 4
השהיית CAS — Programmable 2 or 3
Self-Refresh — Yes (with PASR)
Deep Power-Down — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר