K4B4G1646D-BCNB0 vs K4B4G1646D-BFMA Perbandingan
Perbandingan bersamaan detil K4B4G1646D-BCNB0 dari Samsung Electronics dan K4B4G1646D-BFMA dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.
Perbandingan Spesifikasi
| Parameter Umum | K4B4G1646D-BCNB0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Laju Data | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| Tegangan Pemuat | 1.35 V (DDR3L) | 1.5V |
| Paket | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Suhu Kerja | 0°C to 85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Bebas Halogen | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latensi CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| Antarmuka | DDR3L SDRAM | — |
| Tipe Mounting | Surface Mount | — |
| Jumlah Pin | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| Tipe Memori | — | DDR3 SDRAM |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |