K4B4G1646D-BCNB0 vs K4B4G1646D-BFMA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BCNB0 توسط Samsung Electronics و K4B4G1646D-BFMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BCNB0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (DDR3L) | 1.5V |
| بسته‌بندی | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| دمای کاری | 0°C to 85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| رابط | DDR3L SDRAM | — |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| نوع حافظه | — | DDR3 SDRAM |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |