K4B4G1646D-BCNB0 vs K4B4G1646D-BFMA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BCNB0 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646D-BFMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BCNB0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| מתח אספקה | 1.35 V (DDR3L) | 1.5V |
| מארז | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| ממשק | DDR3L SDRAM | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| מספר פינים | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| סוג זיכרון | — | DDR3 SDRAM |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |