K4B4G1646D-BCNB0 vs K4B4G1646D-BFMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BCNB0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646D-BFMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCNB0 - 4Gb DDR3L SDRAM 2133Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BCNB0 ✓ NakahandaSamsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BFMA ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646D-BCNB0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Rate ng Data | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (DDR3L) | 1.5V |
| Packhaging | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Temperature na Operasyon | 0°C to 85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| Interface | DDR3L SDRAM | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| Uri ng Memory | — | DDR3 SDRAM |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |