K4B4G1646D-BCNB0 vs K4B4G1646D-BFMA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BCNB0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BFMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BCNB0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (DDR3L) | 1.5V |
| پیکیج | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| انٹرفیس | DDR3L SDRAM | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| میموری ٹائپ | — | DDR3 SDRAM |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |