K4B4G1646D-BCNB0 vs K4B4G1646D-BFMA Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BCNB0 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646D-BFMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BCNB0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Hızı | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V (DDR3L) | 1.5V |
| Paket | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| Arayüz | DDR3L SDRAM | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| Bellek Türü | — | DDR3 SDRAM |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |