NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار NT5CB256M16CP-DI توسط Nanya Technology و K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646E-BYMA
برند Nanya Technology Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $14.32
نوع حافظه DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
سازمان 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gb
ولتاژ تغذیه 1.35 V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
نرخ داده 1600 Mbps/pin (max) 1866 Mbps/pin
بسته‌بندی TFBGA-96 FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
محدوده دمای کاری -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
دمای کاری — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
نوع نصب — Surface Mount
تأخیر CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
تعداد پین‌ها — 96

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت