NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5CB256M16CP-DI מאת Nanya Technology ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646E-BYMA
מותג Nanya Technology Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $14.32
סוג זיכרון DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
ארגון 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gb
מתח אספקה 1.35 V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
קצב נתונים 1600 Mbps/pin (max) 1866 Mbps/pin
מארז TFBGA-96 FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
טווח טמפרטורת פעולה -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
טמפרטורת פעולה — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
סוג הרכבה — Surface Mount
השהיית CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
מספר פינים — 96

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר