NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA 比較

詳細並排比較 NT5CB256M16CP-DI 由 Nanya Technology 與 K4B4G1646E-BYMA 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 啟用中
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 啟用中

規格比較

參數 NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646E-BYMA
品牌 Nanya Technology Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) — $14.32
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
組織 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gb
供應電壓 1.35 V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
資料速率 1600 Mbps/pin (max) 1866 Mbps/pin
封裝 TFBGA-96 FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
工作溫度範圍 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
工作溫度 — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
安裝類型 — Surface Mount
CAS 延遲 — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
腳位數 — 96

資料表與資源

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