NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5CB256M16CP-DI sa pamamagitan ng Nanya Technology at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Nakahanda
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Nakahanda

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646E-BYMA
Brand Nanya Technology Samsung Electronics
Kategorya Memory ICs Memory ICs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
Presyo ng Yunit (USD) — $14.32
Uri ng Memory DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organisasyon 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gb
Volte ng Pagbibigay 1.35 V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Rate ng Data 1600 Mbps/pin (max) 1866 Mbps/pin
Packhaging TFBGA-96 FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Hanay ng Temperature na Operasyon -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
Temperature na Operasyon — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Uri ng Pagpapasok — Surface Mount
Latensya ng CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
Bilang ng Pins — 96

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita