NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5CB256M16CP-DI بذریعہ Nanya Technology اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646E-BYMA
برانڈ Nanya Technology Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $14.32
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
تنظیم 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gb
سپلائی وولٹیج 1.35 V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
ڈیٹا ریٹ 1600 Mbps/pin (max) 1866 Mbps/pin
پیکیج TFBGA-96 FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
پنز کی تعداد — 96

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں