BSS127H6327XTSA2 vs BSS123IXTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS127H6327XTSA2 tarafından Infineon ve BSS123IXTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS127H6327XTSA2 BSS123IXTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Paket SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant (lead-free) —
Klorürsüz Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS Small-Signal
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin