BSS127H6327XTSA2 vs BSS123IXTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS127H6327XTSA2 بواسطة Infineon و BSS123IXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSS127H6327XTSA2 | BSS123IXTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel SIPMOS, enhancement mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 21 mA (Ta) | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V (logic level, rated) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 500 ohm at ID = 21 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW (Ta) | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +150 C | — |
| العلبة | SOT-23-3 (PG-SOT23) | PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 | — |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| حالة RoHS | Compliant (lead-free) | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS Small-Signal |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 190 mA |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 500 mW |
| RDS(on) (typical, VGS=10 V) | — | 2.4 ohm |
| RDS(on) (max per family datasheet) | — | 6 ohm |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (per family datasheet) |
| Qualification | — | Industrial |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (per distributor listing) |
| Gate Drive Logic Level | — | Logic-level compatible |