BSS127H6327XTSA2 vs BSS123IXTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS127H6327XTSA2 מאת Infineon ו BSS123IXTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSS127H6327XTSA2 BSS123IXTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +150 C —
מארז SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
סטטוס RoHS Compliant (lead-free) —
נטול הלוגנים Yes, per IEC 61249-2-21 —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS Small-Signal
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר