BSS127H6327XTSA2 vs BSS123IXTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS127H6327XTSA2 بذریعہ Infineon اور BSS123IXTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS127H6327XTSA2 BSS123IXTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +150 C —
پیکیج SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free) —
ہیلوجن فری Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS Small-Signal
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں