BSS127H6327XTSA2 vs BSS123IXTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS127H6327XTSA2 توسط Infineon و BSS123IXTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS127H6327XTSA2 BSS123IXTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
دمای اتصال کاری -55 C to +150 C —
بسته‌بندی SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
وضعیت RoHS Compliant (lead-free) —
بدون هالوژن Yes, per IEC 61249-2-21 —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS Small-Signal
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت