IPD30N06S215ATMA2 vs IPD90N06S404ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N06S215ATMA2 tarafından Infineon ve IPD90N06S404ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD30N06S215ATMA2 | IPD90N06S404ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS Power MOSFET | — |
| Transistor Türü | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 30 A | 90 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 136 W | 150 W |
| Paket / Kas | PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| MSL Seviyesi | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | MSL1 |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| Lead-Free / RoHS | Green package (lead free), RoHS compliant | — |
| Gate Threshold Type | Logic-level compatible | — |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V |
| Paket | — | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount |
| Operating Temperature (TJ max) | — | 175 °C |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 °C (MSL1) |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Technology | — | OptiMOS |
| RoHS Durumu | — | Compliant (Green Product) |
| Polarity | — | Single N-Channel |