IPD30N06S215ATMA2 vs IPD90N06S404ATMA2 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD30N06S215ATMA2 bằng Infineon và IPD90N06S404ATMA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 - 55V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S215ATMA2 ✓ Hoạt động
Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD30N06S215ATMA2 IPD90N06S404ATMA2
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS Power MOSFET —
Kiểu transitor N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 30 A 90 A
Power Dissipation (PD, Tc) 136 W 150 W
Hộp / Vỏ PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55 C to +175 C (junction) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
Cấp MSL MSL1 (up to 260 C peak reflow) MSL1
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
Lead-Free / RoHS Green package (lead free), RoHS compliant —
Gate Threshold Type Logic-level compatible —
Packing Tape & Reel (T/R) —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
On-Resistance (RDS(on)) — 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V
Hộp — PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount
Operating Temperature (TJ max) — 175 °C
Peak Reflow Temperature — 260 °C (MSL1)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Technology — OptiMOS
Trạng thái RoHS — Compliant (Green Product)
Polarity — Single N-Channel

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá