IPD30N06S215ATMA2 vs IPD90N06S404ATMA2 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD30N06S215ATMA2 توسط Infineon و IPD90N06S404ATMA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD30N06S215ATMA2 | IPD90N06S404ATMA2 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS Power MOSFET | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 30 A | 90 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 136 W | 150 W |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| سطح MSL | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | MSL1 |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| Lead-Free / RoHS | Green package (lead free), RoHS compliant | — |
| Gate Threshold Type | Logic-level compatible | — |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V |
| بسته‌بندی | — | PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount |
| Operating Temperature (TJ max) | — | 175 °C |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 °C (MSL1) |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Technology | — | OptiMOS |
| وضعیت RoHS | — | Compliant (Green Product) |
| Polarity | — | Single N-Channel |