IPD60R600C6ATMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R600C6ATMA1 tarafından Infineon ve IPD600N25N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD60R600C6ATMA1 | IPD600N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C6 | — |
| Part Suffix | ATMA1 (Tape & Reel) | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | CoolMOS C6 (Superjunction) | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 250 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 7.3 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 600 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C | 63 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount (Tape & Reel) |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Part Series | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 25 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 136 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 60 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate Eşik Voltage | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Klorürsüz | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| JEDEC Qualification | — | Qualified for target application |