IPD60R600C6ATMA1 vs IPD600N25N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R600C6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD600N25N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD60R600C6ATMA1 | IPD600N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C6 | — |
| Part Suffix | ATMA1 (Tape & Reel) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | CoolMOS C6 (Superjunction) | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 250 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 7.3 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 600 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C | 63 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2+Tab), surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (Tape & Reel) |
| پنز کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| MSL لیول | 1 | — |
| Part Series | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 25 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 136 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 60 mOhm at VGS = 10 V |
| گیٹ تھریشولڈ وولٹیج | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| ہیلوجن فری | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| JEDEC Qualification | — | Qualified for target application |