IRF1018EPBF vs IRFS7430TRL7PP Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF1018EPBF tarafından Infineon ve IRFS7430TRL7PP tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF1018EPBF IRFS7430TRL7PP
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (Power MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 79 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 8.4 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC —
Gate Drive Voltage (Vgs) 10 V (optimized; +/-20 V max) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 110 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (Tj) —
Paket TO-220AB (through-hole, 3-lead) D2PAK (TO-263-7), 7 leads + tab
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Qualification JEDEC (Industrial market) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — StrongIRFET
Series — HEXFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 240 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100°C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse spec]
R_DS(on) max (V_GS=10V) — 1.2 mΩ (per family datasheet); 0.75 mΩ typical
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — 305 nC
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) — 375 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Single Pulse Avalanche Energy (E_AS) — 1454 mJ (per cross-reference test L=1mH)
MSL Seviyesi — MSL1 (per PartGenie)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin