IRF1018EPBF vs IRFS7430TRL7PP موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF1018EPBF بذریعہ Infineon اور IRFS7430TRL7PP بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF1018EPBF IRFS7430TRL7PP
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $0.38 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (Power MOSFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 79 A —
Rds(on) max at Vgs=10V 8.4 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC —
Gate Drive Voltage (Vgs) 10 V (optimized; +/-20 V max) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 110 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (Tj) —
پیکیج TO-220AB (through-hole, 3-lead) D2PAK (TO-263-7), 7 leads + tab
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
Qualification JEDEC (Industrial market) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — StrongIRFET
Series — HEXFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 240 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100°C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse spec]
R_DS(on) max (V_GS=10V) — 1.2 mΩ (per family datasheet); 0.75 mΩ typical
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — 305 nC
Power Dissipation (P_D, Tc=25°C) — 375 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55°C to +175°C
Single Pulse Avalanche Energy (E_AS) — 1454 mJ (per cross-reference test L=1mH)
MSL لیول — MSL1 (per PartGenie)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں