IRFR1205TRPBF vs IRFR120NTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR1205TRPBF tarafından Infineon ve IRFR120NTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR1205TRPBF IRFR120NTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A 9.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC 16.7 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 210 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin