IRFR1205TRPBF vs IRFR120NTRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR1205TRPBF bằng Infineon và IRFR120NTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF - 100V 9.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRLPBF - 100V 9.4A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR1205TRPBF IRFR120NTRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A 9.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC 16.7 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +175C —
Hộp TO-252AA (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 210 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá