IRFR1205TRPBF vs IRFR120NTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR1205TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR120NTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR1205TRPBF IRFR120NTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A 9.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC 16.7 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 210 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 48 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free Finish — Yes (Pb-free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں